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6871東証プライム電気機器

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プローブカード事業

HBM向け需要を牽引力に、連結売上高の98.5%を占める中核事業

期間今期前期増減率
売上高(2026年12月期第1四半期累計)20,629百万円13,663百万円(2025年12月期第1四半期累計)
セグメント利益(2026年12月期第1四半期累計)6,817百万円3,676百万円(2025年12月期第1四半期累計)
セグメント利益率(2026年12月期第1四半期累計)33.1%26.9%(2025年12月期第1四半期累計)
売上高(通期実績・2025年12月期)68,525百万円
セグメント利益(通期実績・2025年12月期)20,844百万円
セグメント利益率(通期実績・2025年12月期)30.4%

事業詳細

半導体製造のウェーハ検査工程において、シリコンウェーハ上の半導体チップ電極にピンを接触させテスタと接続するプローブカードを開発・製造・販売する。メモリ向けで市場優位性を有し、Samsung Electronics・Micron Memory Taiwanを主要顧客とする。国内製造に加え、中国・韓国・台湾・シンガポール・欧州の子会社を通じてグローバルに販売・保守を展開。2026年12月期第1四半期はHBM市場の需要継続によりメモリ向けプローブカードが好調に推移し、生産能力拡大を背景に前年同期比51.0%増収・85.4%増益を達成した。

直近の概況

HBM需要継続でメモリ向けプローブカードが好調、前年同期比51%増収・85%増益

2026年12月期第1四半期(2026年1月〜3月)において、HBM市場の需要継続を背景にメモリ向けプローブカードが好調に推移した。生産能力拡大を背景に売上高は20,629百万円(前年同期比51.0%増)、セグメント利益は6,817百万円(前年同期比85.4%増)となり、セグメント利益率は33.1%と前年同期の26.9%から大幅に改善した。連結売上高に占める構成比は98.5%と引き続き中核事業としての地位を維持している。なお、将来に向けた技術開発推進により研究開発費が前年同期比で増加した。

主要プロダクト

product
メモリ向けプローブカード

HBM(広帯域メモリ)・汎用DRAM・NANDフラッシュ等のメモリ半導体ウェーハ検査に使用するプローブカード。生成AI拡大を背景としたHBM需要の継続により、2026年12月期第1四半期においても売上を牽引。生産能力拡大投資を進めており、受注対応力を強化している。

product
ノンメモリ向けプローブカード(MEMSタイプ)

GPU等AI向け先端プロセスノンメモリ半導体および車載・産業用途向け半導体のウェーハ検査に使用するMEMSタイププローブカード。AI向け先端プロセスは引き続き堅調に推移する一方、車載・産業用途については在庫調整が継続しており市況回復は限定的。

成長ドライバー

  • 生成AI普及を背景としたHBM(広帯域メモリ)需要の継続的拡大
  • データセンター向け大規模投資継続によるGPU・高性能メモリ半導体の旺盛な需要
  • メモリ向けプローブカードの生産能力拡大による受注対応力強化
  • Samsung Electronics・Micron Memory Taiwanとの深い顧客関係(両社合計で売上高の71.3%)
  • ノンメモリ向けMEMSタイププローブカードによる新規顧客開拓と市場拡大
  • 2026年プローブカード市場成長率14%増(会社予測)を上回る成長見通し

リスク

  • Samsung Electronics・Micron Memory Taiwanへの売上集中リスク(両社合計で売上高の71.3%)
  • NANDフラッシュ市場のプローブカード需要回復の遅れ
  • 車載半導体・産業用途向けノンメモリ分野の在庫調整長期化
  • 半導体市況の急激な変動による需要変動リスク(通期業績予測が困難なため2四半期先予想を採用)
  • 米中貿易・技術摩擦の再燃や地政学リスクによるサプライチェーン・顧客需要への影響
  • 設備投資拡大(機械装置及び運搬具純額が前期末比1,802百万円増加)に伴う固定費増加と稼働率低下リスク

最終更新: 2026年3月25日