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5016東証プライム非鉄金属

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JX金属株式会社5016

半導体材料

JX金属の成長戦略コア「フォーカス事業」の中核セグメント

期間今期前期増減率
売上高(外部顧客、2026年3月期通期)176,565百万円147,428百万円
売上高(セグメント計、2026年3月期通期)177,195百万円148,041百万円
営業利益(2026年3月期通期)39,492百万円26,738百万円
セグメント資産(2026年3月期末)318,515百万円283,479百万円
減価償却費(2026年3月期通期)11,872百万円10,888百万円
設備投資額(2026年3月期通期)24,313百万円23,077百万円
営業利益率(2026年3月期通期)22.3%18.1%

事業詳細

半導体用スパッタリングターゲットを主力に、化合物半導体・結晶材料、タンタル・ニオブ材料等を製造・販売するセグメント。米国・台湾・韓国・日本にグローバル生産拠点を構え、大手半導体メーカーへ安定供給。高純度化技術・組成組織制御技術・表面制御技術・分析評価技術を核とし、先端ロジック・メモリ向けに差別化された製品を提供する。AI関連需要の拡大を主要成長ドライバーとして位置づける。

直近の概況

AI需要拡大でスパッタリングターゲット増販、売上高前期比20%増・営業利益前期比128億円増益

2026年3月期は、AIデータセンター向け先端ロジック半導体・HBM等先端メモリ需要の高水準推移を背景に、半導体用スパッタリングターゲットをはじめとする主要製品が増販。円高による減益要因があったものの、増販効果が上回り前期比増益を達成。売上高は177,195百万円(前期比約20%増)、営業利益は39,492百万円(前期比12,754百万円増)。また、2026年3月26日には先端材料の新中核拠点としてひたちなか工場を開業し、供給力強化・研究開発体制を整備した。

主要プロダクト

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半導体用スパッタリングターゲット

AIデータセンター向け先端ロジック半導体やHBM等の先端メモリ半導体需要拡大を背景に増販。2026年3月26日開業のひたちなか工場でも供給力強化を推進。世界シェア64%を有する中核製品。

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タンタル・ニオブ材料(TANIOBIS)

欧州子会社TANIOBISを通じて製造・販売。AIサーバ出荷台数増加に伴うタンタルキャパシタ需要拡大が成長ドライバー。欧州子会社の収益性悪化リスクを内包する。

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化合物半導体・結晶材料(InP・CdZnTe)

InP基板はAIサーバ向けネットワーク機器・光通信領域の拡大を背景に需要が増加。CdZnTeは放射線検出器向けに供給。ひたちなか工場での研究開発・増産体制強化を推進。

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CVD・ALD材料

化学気相成長(CVD)・原子層堆積(ALD)プロセス向け高純度材料。次世代製品ラインアップの拡充として本格供給を開始。先端半導体の微細化・多層化進展に対応する製品群。

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高純度金属・表面処理剤

半導体製造における各種プロセスに使用される高純度金属材料および表面処理剤。高純度化技術を核とした差別化製品群として提供。

成長ドライバー

  • 生成AI普及に伴うAIサーバ向け高性能半導体需要の拡大(先端ロジック・HBM等先端メモリ需要の高水準推移)
  • AIデータセンターにおけるネットワーク機器・光通信領域の拡大によるInP基板等需要増
  • 半導体の多層化・微細化進展による1デバイスあたりのスパッタリングターゲット使用量増加
  • 2026年3月26日開業のひたちなか工場による半導体用スパッタリングターゲット供給力強化および研究開発・新規事業創出
  • 米国アリゾナ州メサ新工場(2024年11月竣工)による生産能力拡張と工程自動化による生産性向上
  • 2028年3月期に2024年3月期対比約1.6倍の生産能力達成を目指す積極的な設備投資
  • CVD・ALD材料の本格供給開始による次世代製品ラインアップの拡充

リスク

  • 円高進行による減益リスク(2026年3月期においても円高が減益要因として顕在化)
  • 米国関税政策の不透明感による半導体サプライチェーンへの影響
  • 半導体市場の需要変動リスク(在庫調整局面での販売量減少)
  • TANIOBIS GmbHをはじめとする欧州子会社の収益性悪化リスク
  • タンタル等レアメタル原料の調達コスト上昇・供給不安リスク
  • 先端半導体メーカーの生産拠点集中(台湾・韓国・米国)に伴う地政学的リスク
  • ひたちなか工場等の大規模設備投資に伴う減価償却費増加による利益圧迫リスク

最終更新: 2026年6月24日