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Tokyo Electron Limited 第一季財報預覽

AI半導體資本支出加速及上半年營收計畫15,700億日圓所暗示之成長反彈機率，有待透過第一季訂單與營收趨勢加以驗證

發布日期2026年7月28日 15:30 [GMT+9]

摘要

2026年3月期全年業績營收僅微增+0.5%，營利率年減3.1個百分點至25.6%。然而，公司對2027年3月期上半年財測顯示強勁復甦態勢，營收達15,700億日圓（年增+33.1%）、營業利益4,310億日圓（年增+42.2%），顯示AI驅動之半導體資本支出正重新成為公司成長引擎。第一季為追蹤上半年計畫達成進度之首個檢視點，核心關注焦點包括：AI應用先進邏輯及HBM設備需求之實現，以及上年度毛利率壓縮能否反轉。東京威力科創作為專注單一事業體之純半導體生產設備製造商，位居技術創新最前線，在結構上直接受惠於中長期半導體市場成長——其成長品質與持續性因此備受市場檢視。

下季度關注要點

關注點與焦點意涵

營收成長第一季營收對上半年計畫（15,700億日圓）之達成率

前一年度上半年營收約佔全年48%。若第一季能達成上半年計畫40%以上，將提升市場對年增+33.1%成長軌道之信心

獲利能力毛利率 YoY 趨勢

2026年3月期全年毛利率為45.3%（▲1.8個百分點）。成本率上升究竟屬一次性或結構性因素，將決定上半年計畫所隱含之約27%營利率能否實現

訂單趨勢新接訂單及在手訂單水位

前一年度中國資本支出已現高原跡象。AI相關訂單之獲取為下半年及後續營收之領先指標

研發投入效率研發費用營收佔比及新產品推出

2026年3月期研發支出2,778億日圓（佔營收11.4%，年增+11.1%）。先進EUV對應設備及3D封裝設備之競爭力為中長期市佔率之關鍵

資本效率與股東回報ROE 走勢及庫藏股執行進度

2026年3月期 ROE 為29.6%（▲0.7個百分點）。關注1,500億日圓庫藏股授權（2026年5月29日核定）之執行節奏，以及含1拆5股票分割（2026年10月1日生效）在內之股東回報方針

匯率敏感度匯率假設與實際匯率之差異

2026年3月期於營業外費用認列45億日圓匯兌損失。密切關注相對於上半年計畫匯率假設，日圓升值／貶值情境下之損益影響

基於前次財報的主要論點（2026年3月期全年業績）

2026年3月期營收24,435億日圓（+0.5%），維持營收正成長，惟營業利益降至6,249億日圓（▲10.4%）。中國資本支出趨緩及銷管費增加（+7.6%）壓抑獲利表現，但受惠於認列1,154億日圓投資有價證券處分利益，本期淨利仍增至5,744億日圓（+5.6%）。此外，公司將財測揭露範圍縮限至僅涵蓋半年度期間，反映其對短期供需波動採取更為審慎之態度。

1. AI半導體資本支出擴張與區域營收結構變化

  • 前一年度：
    國內營收大幅成長+26.0%至2,394億日圓；海外營收下滑▲1.7%。中國趨緩部分由日本及其他地區之AI投資所抵銷
  • 本季檢視重點：
    中國管制收緊之影響是否持續，以及AI投資之區域擴散（台積電北美新廠、日本國內晶圓廠）能否提供足夠之抵銷效果
  • 關鍵指標：
    區域營收組合——尤其是中國佔比之變化及北美、日本之成長幅度
前一年度，資料中心AI伺服器需求推動電子產業整體成長，生成式AI應用之半導體資本支出顯著擴張。同時，中國資本支出年比已現高原跡象，海外營收降至22,041億日圓（▲1.7%），惟海外營收佔比仍維持90.2%。

2. 毛利率下降：根本原因與復甦展望

  • 前一年度：
    毛利率45.3%（前一年度為47.1%）。營業成本年增+3.9%，對比營收僅增+0.5%
  • 本季檢視重點：
    上半年營利率27.5%（報告估算：4,310 ÷ 15,700）所隱含之毛利率改善能否實現
  • 關鍵指標：
    第一季毛利率 YoY 變化。回升至47%區間為達成上半年營業利益目標之必要條件
毛利率下滑1.8個百分點至45.3%。營業成本升至13,356億日圓（+3.9%），增速超越營收成長（+0.5%），推測主因為產品組合變化及原物料成本上漲。

3. 銷管費及研發支出攀升：投入效率受到檢視

  • 前一年度：
    銷管費率19.7%（前一年度18.5%）。研發費用營收佔比達歷史新高11.4%
  • 本季檢視重點：
    研發投入能否在EUV對應設備及3D封裝技術上轉化為競爭優勢。九州新大樓（約100億日圓）之資本支出效益
  • 關鍵指標：
    銷管費率改善節奏。上半年隨營收成長加速，回降至18%區間為獲利復甦之關鍵
銷管費擴增至4,829億日圓（+7.6%），銷管費率升至19.7%（+1.3個百分點）。其中研發費用年增+11.1%至2,778億日圓，薪資及津貼年增+9.7%至559億日圓，明確反映公司對成長導向投資之優先配置。

4. 現金流量與股東回報之持續性

  • 前一年度：
    營業現金流5,397億日圓，自由現金流4,433億日圓（報告估算）。庫藏股買回1,500億日圓及股息支付2,716億日圓
  • 本季檢視重點：
    新授權1,500億日圓庫藏股買回之執行進度。2026年4月30日註銷360萬股庫藏股後之流通在外股數變化
  • 關鍵指標：
    中期每股股息預測361日圓之信心。在業績連動配息政策（目標約50%配息率）下，聚焦全年財測揭露時之全年股息方針
營業現金流維持穩健水準達5,397億日圓（▲7.3%）。資本支出積極，有形固定資產取得2,085億日圓（+31.6%），但投資有價證券處分收入1,173億日圓使投資活動現金流淨額控制在負964億日圓。配息率維持50.1%，年度每股股息上調至628日圓（+36日圓）。

5. 財測揭露政策變更及全年展望之意涵

  • 前一年度：
    2026年3月期實績超越2026年2月6日公布之全年預測（獲利面），股息預測由601日圓上修至628日圓
  • 本季檢視重點：
    由第一季實績評估上半年計畫之可達成性。下半年／全年財測揭露內容及全年營收突破3兆日圓之情境分析
  • 關鍵指標：
    第一季營收 YoY 成長率。確認達到+30%以上，與上半年計畫+33.1%之成長目標一致
公司停止揭露全年財測，僅限半年度期間，理由為半導體市場短期供需波動及價格變動加劇。上半年計畫基調偏多：營收15,700億日圓（+33.1%）、營業利益4,310億日圓（+42.2%）。

適時披露與行業趨勢

  • 2026/06/30
    美國子公司合併公告——Tokyo Electron America, Inc.與TEL Technology Center, America, LLC進行吸收合併。透過組織重整整合美國銷售支援及研發功能，以提升營運效率。對損益直接影響有限，但值得關注其對美國業務平台之強化意義。（美國子公司合併公告）
  • 2026/05/29
    庫藏股買回授權（上限1,500億日圓／750萬股）——買回期間：2026年6月1日至2027年3月31日。在兼顧成長投資之同時，展現對股東回報之承諾。預期將與股息（目標約50%配息率）合計提升總回報率。（庫藏股買回授權公告）
  • 2026/05/29
    股票分割（1拆5）及章程修訂——基準日：2026年9月30日；生效日：2026年10月1日。旨在降低每單位投資門檻以擴大散戶投資人基礎。流動性改善及股東基礎擴大為中長期股權評價之正面因素。（股票分割及章程修訂公告）
  • 2026/05/22
    東京威力科創九州新大樓建設（約100億日圓）——為塗佈顯影設備、清洗設備及3D封裝設備之物流設施，擴充九州據點之生產及開發能力。為因應中長期半導體市場成長之供應鏈強化舉措。（九州新大樓建設公告）

上季度業績（2026年3月期全年業績）

東京威力科創為全球領先之單一「半導體生產設備」事業體企業，核心產品涵蓋蝕刻、薄膜沉積、塗佈顯影及清洗設備。隨著AI及資料中心半導體技術進步於結構面推升設備需求，公司處於直接受惠中長期半導體市場成長之有利位置。2026年3月期營收24,435億日圓（+0.5%），僅微幅增長，營業利益降至6,249億日圓（▲10.4%），主因為中國資本支出趨緩及銷管費增加。然而，受惠於認列1,154億日圓投資有價證券處分利益，本期淨利仍達5,744億日圓（+5.6%），年度每股股息上修至628日圓（配息率：50.1%）。

項目金額YoY相對財測備註
營業收入24,435.33億日圓+0.5%-國內年增+26.0%，海外▲1.7%。AI資本支出成長被中國趨緩所抵銷
營業利益6,249.36億日圓▲10.4%-營利率25.6%（▲3.1個百分點）。毛利率壓縮及銷管費增加為主因
經常利益6,303.38億日圓▲10.9%-匯兌損失45億日圓（前一年度9億日圓）推升營業外費用
本期淨利5,744.54億日圓+5.6%優於預期認列投資有價證券處分利益1,154億日圓。優於2026年2月6日預測→股息上修
每股盈餘（EPS）1,254.57日圓+6.1%-加權平均股數：457,888千股（庫藏股買回減少2,304千股）

相對全年計畫之年度財測達成率： 因公司未揭露全年財測，故不適用。2027年3月期上半年計畫之達成進度，將於第一季業績公布時首次可供評估。

公司資訊

  • 公司名稱：
    Tokyo Electron Limited
  • 股票代號：
    8035
  • 上市交易所：
    東京證券交易所 Prime市場
  • 會計年度：
    3月
  • 核心業務：
    半導體生產設備之開發、製造與銷售（蝕刻、薄膜沉積、塗佈顯影、清洗設備等）
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